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高性能(SiC)肖特基二極管的特性圖
  • 發(fā)布時(shí)間:2020-03-18 16:04:52
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高性能(SiC)肖特基二極管的特性圖
高性能肖特基二極管材料
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導(dǎo)體材料,基于SiC的肖特基二極管(SiC Schottky Diode)
具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。  
肖特基二極管
碳化硅肖特基二極管特性
安森美半導(dǎo)體(onsemi)推出的FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管沒(méi)有開關(guān)損耗,利用新的半導(dǎo)體材料 —— 碳化硅(SiC)提升了硅二極管的系統(tǒng)效率,支持更高的工作頻率,并且有助于提高功率密度,降低系統(tǒng)尺寸/成本。
肖特基二極管
肖特基二極管的作用
FFSH30120ADN碳化硅肖特基二極管可工作于1200V/30A環(huán)境,最大結(jié)溫175°C,雪崩額定值145mJ,高浪涌電流容量,正溫度系數(shù),無(wú)反向恢復(fù)/無(wú)正向恢復(fù),具有高可靠性,確保了在浪涌或過(guò)壓條件期間的可靠運(yùn)行。
作為一種高壓二極管,F(xiàn)FSH30120ADN采用表面貼裝,主要用于開關(guān)電源、太陽(yáng)能逆變器、UPS,以及電源開關(guān)電路等。
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