MOSFET在應(yīng)用時(shí)通常有如下圖所示的D1，D2二極管電路，很多人都有疑問：兩個(gè)二極管究竟起什么作用呢？
1，D1為MOSFET內(nèi)部的寄生二極管，可以保護(hù)D、S極。當(dāng)D、S極產(chǎn)生瞬間反向大電流時(shí)，可通過D1導(dǎo)出，如果沒有該二極管，就有可能擊穿MOSFET。由于MOSFET工作頻率較高，所以要求D1的工作頻率也要高（即反向恢復(fù)時(shí)間要短，相當(dāng)于一個(gè)快恢復(fù)二極管）。
2，D2通常為外加的靜電保護(hù)二極管，用以保護(hù)G、S極。由于MOSFET是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，柵極無直流通路，輸入阻抗高，極易引起靜電荷聚集，從而產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿，D2可以把靜電嵌位于穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下，有效保護(hù)G、S的絕緣層。但對(duì)于不同功率、不同型號(hào)的MOSFET其保護(hù)穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值是不同的。另外，小、中功率MOSFET通常需要保護(hù)二極管，而大功率MOSFET由于輸入電容較大，接觸到靜電后有一個(gè)充電的過程，產(chǎn)生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，所以通常不需要保護(hù)二極管。
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