一、50N06參數(shù)中文
產(chǎn)品特征：
RDS(on) =10.5m@ VGS =10V
提供無鉛綠色設(shè)備
低Rds開啟，最大限度地減少導(dǎo)電損
高雪崩電流
二、50n06參數(shù)中文
產(chǎn)品用應(yīng)：
電源
不間斷電源
電池管理系統(tǒng)
Mosfet參數(shù)含義說明-50n06參數(shù)中文
Vds：DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時，MOS的DS所能承受的最大電壓
Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻
Id：最大DS電流.會隨溫度的升高而降低
Vgs:最大GS電壓.一般為：-20V~+20V
Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現(xiàn)一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關(guān)系
Pd:最大耗散功率
Tj:最大工作結(jié)溫，通常為150度和175度
Tstg:最大存儲溫度
Iar:雪崩電流
Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss：DS擊穿電壓
Idss:飽和DS電流，uA級的電流
Igss:GS驅(qū)動電流，nA級的電流.
gfs:跨導(dǎo)
Qg:G總充電電量
Qgs:GS充電電量
Qgd:GD充電電量
Td(on):通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間
Tr:上升時間，輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間
Td(off):關(guān)斷延遲時間，輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時10%的時間
Tf:下降時間，輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。
Ciss:輸入電容，Ciss=Cgd+Cgs.
Coss:輸出電容，Coss=Cds+Cgd.
Crss:反向傳輸電容，Crss=Cgc.
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