某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。本文就其中一個原因即誤啟動現象進行說明。
什么是誤啟動現象
誤啟動是因MOSFET的各柵極電容（CGD,CGS）和RG引起的現象，在串聯2個MOSFET的橋式電路中，當位于開關側的MOSFET導通（Turn-on）時，在原本為OFF狀態(tài)的續(xù)流側MOSFET發(fā)生了不應發(fā)生的導通，導致直通電流流過，損耗增大。
誤啟動的發(fā)生機制
圖中給出了雙脈沖測試的基本工作。
從工作②轉換為工作③時，高邊Q1的Drain-Source間電壓VDS_H從0V急劇變?yōu)閂i。由于此時產生的dVDS_H/dt（單位時間內的電壓變化) ，使電流流過CGD_H、CGS_H和RG_H。
如果此電流導致CGS_H的電壓上升、VGS_H超過MOSFET的柵極閾值，則MOSFET將發(fā)生不應發(fā)生的導通。我們將該現象稱為誤啟動，發(fā)生誤啟動時，高壓側Q1和低壓側Q2之間會流過直通電流。
下圖是展示了因體二極管的反向恢復電流和誤啟動而引發(fā)直通電流的示意圖。
由于逆變器電路和Totem Pole PFC電路等是串聯了2個MOSFET的橋式電路，因此不僅會出現反向恢復損耗，而且還可能因誤啟動引起的直通電流導致導通損耗增大。
上一篇文章中提到的評估中使用的R6030JNZ4，已證實其導通損耗比其他快恢復型SJ MOSFET要小。這不僅僅是因為其恢復特性出色，更是因為對各柵極電容之比進行了優(yōu)化，并采用了可抑制誤啟動的結構。
關鍵要點
● 橋式電路中的誤啟動是指由于MOSFET的VDS急劇變化引發(fā)VGS的波動，從而導致MOSFET發(fā)生意外導通的現象。
● 當誤啟動引發(fā)了直通電流時，導通損耗會增加，因此有時候即使恢復特性出色也未必能夠獲得理想的損耗降低效果。
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