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  • MOS管怎么快速開(kāi)啟和關(guān)閉,驅(qū)動(dòng)電路解析
    • 發(fā)布時(shí)間:2022-05-21 16:16:00
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    MOS管怎么快速開(kāi)啟和關(guān)閉,驅(qū)動(dòng)電路解析
    MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉
    一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在,這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。
    下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容,電感為電路走線的寄生電感:
    MOS管 開(kāi)啟 關(guān)閉
    如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話,MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好。
    因?yàn)殚_(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)損耗越小,而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
    如何做到MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉呢?
    對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類(lèi)似,如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓降到0V的時(shí)間越短,那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
    由此我們可以知道,如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低,就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
    大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法,其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
    比較好的方法是使用專(zhuān)用的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片如TC4420來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管,這類(lèi)的芯片一般有很大的瞬間輸出電流,而且還兼容TTL電平輸入。
    MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下:
    MOS管 開(kāi)啟 關(guān)閉
    MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)需要注意的地方:
    因?yàn)轵?qū)動(dòng)線路走線會(huì)有寄生電感,而寄生電感和MOS管的結(jié)電容會(huì)組成一個(gè)LC振蕩電路,如果直接把驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端接到MOS管柵極的話,在PWM波的上升下降沿會(huì)產(chǎn)生很大的震蕩,導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸,一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻,降低LC振蕩電路的Q值,使震蕩迅速衰減掉。
    因?yàn)镸OS管柵極高輸入阻抗的特性,一點(diǎn)點(diǎn)靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通,所以建議在MOS管G極和S極之間并聯(lián)一個(gè)10K的電阻以降低輸入阻抗。
    如果擔(dān)心附近功率線路上的干擾耦合過(guò)來(lái)產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管的話,可以在GS之間再并聯(lián)一個(gè)18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管。
    TVS可以認(rèn)為是一個(gè)反應(yīng)速度很快的穩(wěn)壓管,其瞬間可以承受的功率高達(dá)幾百至上千瓦,可以用來(lái)吸收瞬間的干擾脈沖。
    綜上,MOS管驅(qū)動(dòng)電路參考:
    MOS管 開(kāi)啟 關(guān)閉
    MOS管驅(qū)動(dòng)電路的布線設(shè)計(jì):
    MOS管 開(kāi)啟 關(guān)閉
    MOS管驅(qū)動(dòng)線路的環(huán)路面積要盡可能小,否則可能會(huì)引入外來(lái)的電磁干擾。
    驅(qū)動(dòng)芯片的旁路電容要盡量靠近驅(qū)動(dòng)芯片的VCC和GND引腳,否則走線的電感會(huì)很大程度上影響芯片的瞬間輸出電流。
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