1）基本常識點(diǎn)：我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強(qiáng)。
2）MOS管導(dǎo)通后的等效電路如下：
MOSFET導(dǎo)通之后，近似如上圖的電阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根據(jù)電阻分壓，電壓跟電阻成正比，所以內(nèi)阻越小，分壓越小，而后端帶負(fù)載的電壓越高，負(fù)載的功率越大；同時(shí)MOS管的內(nèi)阻越小，自身功耗也越低。若是內(nèi)阻過大會導(dǎo)致管子的功耗過大，MOS管更易發(fā)熱，壽命更短。所以通常會選擇內(nèi)阻較小的MOS管，帶載能力也更強(qiáng)。
3）MOS管的內(nèi)阻Rds(on)的影響因素有哪些？
（1）MOS管的導(dǎo)通電阻會隨溫度的上升而上升，如下圖，MOS管的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫130℃時(shí)比在20℃時(shí)高出兩倍多。
（2）一般驅(qū)動電壓越高，實(shí)際導(dǎo)通電阻越大，而且最大的導(dǎo)通的電路也越大，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)一般選擇VGS=12V比較合適，如下圖：
4）增強(qiáng)管子的負(fù)載能力的方案
除了選擇本身漏源電流比較大的MOS管之外，可以采用多個(gè)MOS管并聯(lián)的方式，并聯(lián)時(shí)，各個(gè)MOS管的內(nèi)阻也是并聯(lián)的，并聯(lián)之后的內(nèi)阻就減小，可以驅(qū)動更大的負(fù)載。一般來說大功率功放選擇MOSFET管，因其內(nèi)阻更小；如果負(fù)載內(nèi)阻小了，那么如果放大器的輸出阻抗不變的話，放大器的末級管子分的電壓比例就會上升，所以現(xiàn)在的音響都選擇有低內(nèi)阻的MOS管，才得以向小阻抗的負(fù)載發(fā)展，以得到更好的動態(tài)效果。
5）MOS管的VGS閾值電壓
一般我們看手冊上參數(shù)來選擇合適的MOS管：
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