耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么
耗盡型MOSFET：
耗盡型 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下，施加?xùn)艠O到源極電壓 （VGS） 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí)，正電荷會(huì)在通道中累積。這會(huì)導(dǎo)致溝道中的耗盡區(qū)并阻止電流流動(dòng)。因此，由于電流的流動(dòng)受耗盡區(qū)形成的影響，所以稱為耗盡型 MOSFET。
增強(qiáng)型MOSFET：
增強(qiáng)型 MOSFET 類似于閉合開關(guān)。在此模式下，施加?xùn)艠O-源極電壓 （VGS） 以開啟器件。當(dāng)負(fù)電壓施加到 MOSFET 的柵極端時(shí)，攜帶正電荷的空穴在氧化層附近聚集，形成從源極到漏極的溝道。隨著電壓變得更負(fù)，通道寬度增加，電流增加；因此它被稱為增強(qiáng)型MOSFET。
耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管的區(qū)別
1、工作原理不同
耗盡型：當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。即：耗盡型MOS管的VGS （柵極電壓）可以用正、零負(fù)電壓控制導(dǎo)通。
增強(qiáng)型：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。即：增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS》VGS （th） （柵極閾值電壓）能導(dǎo)通。
2、結(jié)構(gòu)不同
耗盡型：場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。
增強(qiáng)型：增強(qiáng)型的原始溝道較窄、摻雜濃度較低，使得在柵電壓為0時(shí)溝道即被夾斷，只有加上正柵偏壓 （必須小于0.5V） 時(shí)才產(chǎn)生溝道而導(dǎo)電；輸出伏安特性仍然為飽和特性。
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