直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護(hù)是重要保護(hù)之一，二極管的單向?qū)ㄌ匦允苟O管作為了應(yīng)用首選，通常選用快恢復(fù)二極管，電流稍大的可選壓降較小的肖特基二極管，達(dá)到相同電流級(jí)的肖特基二極管成本相對(duì)偏高。快恢復(fù)二極管壓降約0.7V，肖特基二極管管壓降約為0.3V，以10A電流為例快恢復(fù)二極管消耗功率為7W，肖特基二極管消耗功率為3W，通常就需要考慮散熱問題，如果在5V電壓供電系統(tǒng)中壓降的產(chǎn)生會(huì)使系統(tǒng)的效率分別降低14%和6%。
為解決此問題MOS管型防反接保護(hù)電路被工程技術(shù)人員開發(fā)利用，利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，通常可達(dá)到臺(tái)歐級(jí)別，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。還以10A電流為例，MOS管內(nèi)阻選10mQ，器件的管壓降為0.1V，消耗功率為1W。如果內(nèi)阻更小管壓隆及消耗的功率也變得更小，在低壓大電流系統(tǒng)中MOS管型防反接具有絕對(duì)的優(yōu)勢
保護(hù)用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管，
NMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)如下圖所示:
NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。
PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)如下圖所示：
PMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。
由于場效應(yīng)管的加工工藝導(dǎo)致NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。
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