直流供電產(chǎn)品在系統(tǒng)高可靠性要求下防反接保護是重要保護之一，二極管的單向導通特性使二極管作為了應用首選，通常選用快恢復二極管，電流稍大的可選壓降較小的肖特基二極管，達到相同電流級的肖特基二極管成本相對偏高。快恢復二極管壓降約0.7V，肖特基二極管管壓降約為0.3V，以10A電流為例快恢復二極管消耗功率為7W，肖特基二極管消耗功率為3W，通常就需要考慮散熱問題，如果在5V電壓供電系統(tǒng)中壓降的產(chǎn)生會使系統(tǒng)的效率分別降低14%和6%。
為解決此問題MOS管型防反接保護電路被工程技術人員開發(fā)利用，利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，通常可達到臺歐級別，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。還以10A電流為例，MOS管內阻選10mQ，器件的管壓降為0.1V，消耗功率為1W。如果內阻更小管壓隆及消耗的功率也變得更小，在低壓大電流系統(tǒng)中MOS管型防反接具有絕對的優(yōu)勢
保護用場效應管為PMOS場效應管或NMOS場效應管，
NMOS場效應管防反保護如下圖所示:
NMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
PMOS場效應管防反保護如下圖所示：
PMOS場效應管通過D管腳和S管腳串接于電源和負載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導通。反接的時候MOS不能導通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關特性控制電路的導通和斷開，從而防止電源反接給負載帶來損壞。
由于場效應管的加工工藝導致NMOS管的導通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。
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