一、MOS管寄生電容概述
MOS管存在三個(gè)關(guān)鍵的寄生電容參數(shù)，即輸入電容Ciss、輸出電容Coss和反向傳輸電容Crss。這些寄生電容的形成與功率半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)和工作原理緊密相關(guān)。
二、功率半導(dǎo)體基礎(chǔ)
功率半導(dǎo)體的核心在于PN結(jié)，從二極管、三極管到場(chǎng)效應(yīng)管，均是基于PN結(jié)特性衍生出的不同應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵型，其中絕緣柵型又被稱(chēng)為MOS管（MetalOxideSemiconductor）。
三、MOS管分類(lèi)
依據(jù)在不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強(qiáng)型與耗盡型。
四、寄生電容形成機(jī)制
（一）勢(shì)壘電容
當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，因濃度差使得N型半導(dǎo)體的電子部分?jǐn)U散至P型半導(dǎo)體的空穴中，在結(jié)合面處的兩側(cè)會(huì)形成空間電荷區(qū)。該空間電荷區(qū)所產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的繼續(xù)進(jìn)行，直至擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到平衡狀態(tài)。
（二）擴(kuò)散電容
在外加正向電壓時(shí)，靠近耗盡層交界面的非平衡少子濃度較高，而遠(yuǎn)離該交界面的非平衡少子濃度則較低，濃度會(huì)從高到低逐漸衰減直至為零。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí)，非平衡少子的濃度及其濃度梯度均會(huì)增大；反之，當(dāng)外加電壓降低時(shí)，情況則相反。這一過(guò)程中電荷的積累和釋放與電容器的充放電過(guò)程類(lèi)似，因而被稱(chēng)為擴(kuò)散電容。
五、MOS管寄生電容結(jié)構(gòu)影響因素
MOS管的多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等因素均會(huì)對(duì)寄生電容產(chǎn)生影響。
六、寄生電容參數(shù)定義
根據(jù)MOS管規(guī)格書(shū)，三個(gè)電容參數(shù)的定義如下：
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd
輸出電容Coss=Cds+Cgd
反向傳輸電容Crss=Cgd
這些寄生電容受溫度變化的影響較小，因此驅(qū)動(dòng)電壓和開(kāi)關(guān)頻率對(duì)MOS管的開(kāi)關(guān)特性有著更為明顯的影響。
七、寄生電容減小方法
（一）增加初始電容值法
通過(guò)增加初始電容值，可以使寄生電容相對(duì)電容傳感器的電容量減小。
（二）采用驅(qū)動(dòng)電纜技術(shù)
運(yùn)用驅(qū)動(dòng)電纜技術(shù)有助于減小寄生電容。
（三）減少引線(xiàn)距離和集中接地
減少引線(xiàn)距離并采用集中接地的方式，能夠有效減少寄生電容。
（四）優(yōu)化電路設(shè)計(jì)
優(yōu)化電路設(shè)計(jì)，降低信號(hào)線(xiàn)與MOS管間的耦合程度，并加入合適的濾波電路，可減少寄生電容的影響。
（五）注意布局和散熱設(shè)計(jì)
在MOS管的布局和散熱設(shè)計(jì)上多加注意，避免因高溫而導(dǎo)致寄生電容發(fā)生變化。
（六）合理布局
在電路設(shè)計(jì)中，合理布局是減小寄生電容產(chǎn)生的關(guān)鍵。例如，在PCB設(shè)計(jì)中，可采用屏蔽和隔離的方法來(lái)減少寄生電容。
（七）選擇合適材料
不同材料具有不同的介電常數(shù)，選擇合適的材料可以減小寄生電容。如在高頻電路中，選擇低介電常數(shù)的材料可降低寄生電容的影響。
（八）使用補(bǔ)償電路
在某些特殊場(chǎng)景下，可通過(guò)使用補(bǔ)償電路來(lái)消除或減小寄生電容的影響。比如在放大器電路里，可采用補(bǔ)償電路抵消輸入輸出間的寄生電容。
（九）減小漏區(qū)面積與周長(zhǎng)
適當(dāng)減小漏區(qū)的面積與周長(zhǎng)，能有效降低結(jié)電容。
（十）柵極串聯(lián)電阻
在MOS管開(kāi)關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中，常在MOS管柵極串聯(lián)電阻，此舉不僅能限制驅(qū)動(dòng)電流、轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)器功率損耗、降低EM輻射和干擾，還能抑制MOS管柵源極的寄生震蕩。
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